UCC27712 – высоковольтный полумостовой драйвер IGBT/MOSFET

Микросхема UCC27712 характеризуется высоким быстродействием, хорошим совпадением скоростных характеристик в каналах и гарантируют «мертвую зону» между каналами при работе.

Основные характеристики микросхемы:

  • Рабочее напряжение от 10 до 20В, по входу НВ – до 620В. (700В максимум).
  • Выходной импульсный ток, ампер: 1,8 (вытекающий)/2,8 (втекающий).
  • Типовая задержка 100 нс.
  • Разброс времени задержки по каналам - 12 нс.
  • Гарантированное «Deadtime» - 150 нс.
  • Корпус SOIC-8, расположение выводов соответствует промышленному стандарту.

Упрощенная схема применения с использованием Bootstrap-конденсатора в цепи питания верхнего плеча:

На выводе НВ допускается напряжение до 700 В.

Диод в Bootstrap-цепи должен быть рассчитан на обратное напряжение не меньшее, чем напряжение в точке «Up to 600 V».

Логика работы микросхемы:

Хорошо видно, как работает система формирования «Deadtime» и защиты от прохождения сквозных токов.

Характерной особенностью микросхемы UCC27712 является практически полное отсутствие зависимости времени задержки от температуры:

Микросхема UCC27712 предназначена для применения в электроприводе (холодильники, стиральные машины, вентиляторы, электроинструмент, робототехника), сетевых источниках питания, инверторах.

Источник: http://www.ti.com/product/UCC27712