MRAM-память 4/8/16/32 Мбит от Renesas

В 2019 году компания Renesas пополнила свою линейку продукции микросхемами магниторезистивной памяти MRAM ёмкостью 4, 8, 16 или 32 Мбит. Этот тип памяти находит широкое применение в медицинской технике, охранно-пожарных системах, счетчиках и расходомерах, кассовом оборудовании и мобильных устройствах.

В 2019 году компания Renesas пополнила свою линейку продукции микросхемами магниторезистивной памяти MRAM ёмкостью 4, 8, 16 или 32 Мбит. Этот тип памяти находит широкое применение в медицинской технике, охранно-пожарных системах, счетчиках и расходомерах, кассовом оборудовании и мобильных устройствах.

Преимущества технологии MRAM:

  • энергонезависимость
  • высокая производительность
  • низкое энергопотребление
  • устойчивость к радиации, нейтронам и альфа-частицам
  • неограниченное число циклов перезаписи
  • низкий ток утечки ячеек
  • высокая плотность ячеек

Предлагаются две серии – с низким потреблением «Ultralowpower» и высокой производительностью «Highperformance». Микросхемы памяти серии «High performance» имеют два дополнительных режима – «Deep Power Down» (до 0.7 мкА) и «Hibernate» (0.1 мкА). Данные при этом сохраняются в памяти.

Основные характеристики

Параметры Ultralowpower MRAM Highperformance MRAM
Интерфейс SPI (1-1-1), 10 МГц макс. QSPI (4-4-4), 54 / 108 МГц
Рабочий ток 1.8 мА 15.6 мА (режим SPI SDR @ 108 МГц)
Ток в режиме ожидания 1.3 мкА 93 мкА
Напряжение питания 1.8 или 3 В 1.8 или 3 В
Диапазон рабочих температур 0 … +70С -40 … +85С -40 … +105С 0 … +70С -40 … +85С -40 … +105С -40 … +125С
Тип корпуса WSON-8, 5 x 6 мм SOIC-8, 5.2 x 5.2 мм WSON-8, 5 x 6 мм SOIC-8, 5.2 x 5.2 мм FBGA-24, 6 x 8 мм

 

Информацию по доступности MRAM, а также по образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. . Мы будем рады Вам помочь!

Оставить заявку