Новости

Аналитическая компания YOLE Group внимательно отслеживает рынок GaN п/п приборов. Причем оба его сегмента - силовой (Power GaN) и высокочастотный (RF GaN). Из диаграммы развития до 2029 г. следует, что их CAGR составит 41% и 10%, соответственно.

Объясняется это тем, что ВЧ GaN появились еще в 90х годах прошлого века и использовались в радарах, а затем в связном оборудовании.

Силовые же GaN полупроводники начали широко использовать в потребительской аппаратуре только в 2019 г. и постепенно они распространились на data-center и автомобильный сектора.

Отмечается, что для более широкого применения GaN надо понизить их цену, а это требует решения многих технологических задач.


*По данным Инфо-портала «Новости мира электроники»: www.ecworld.ru