Китайский высокотехнологичный производитель силовых полупроводников Pruxis Semi активно укрепляет свои позиции на мировом рынке, представив комплексное портфолио силовых компонентов (включая решения на основе карбида кремния) с максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 1700В
Продукция компании охватывает всю производственную цепочку — от полупроводниковых пластин до дискретных компонентов и интегрированных модулей высокой плотности.
Благодаря переходу на SiC-технологии и внедрению современных топологий IGBT, решения Pruxis обеспечивают критически важное снижение статических и динамических потерь энергии, повышенную рабочую частоту коммутации и превосходные температурные характеристики.
Новая линейка нацелена на замещение продукции западных брендов, таких как Infineon, ON Semi, FUJI и др. в наиболее энергоемких отраслях промышленности, электротранспорта и бытового сектора.
Ниже приведены целевые рекомендации по применению ключевых линеек Pruxis в различных сегментах.
Промышленные приводы и управление
Для систем частотно-регулируемых электроприводов, тяжелых станков с ЧПУ и промышленных насосов ключевым фактором является высокая надежность и стойкость к коротким замыканиям.
| Наименование |
Описание |
Аналог |
| PXIM12H450D |
Half Bridge IGBT-модуль в корпусе 62mm, 450A, 1200В |
FF450R12ME4 Infineon |
| PXID12180Q |
дискретный IGBT в корпусе TO-247PLUS-4L, 180A, 1200В |
IKQ140N120CH7 Infineon |
| PXIM12Q150B |
SixPack IGBT-модуль, 150A, 1200В |
FS150R12KT4 Infineon |
| PXIM12H300E |
Half Bridge IGBT-модуль в корпусе 62mm, 300A, 1200В |
FF300R12KE4 Infineon |
Новые технологии и генерация энергии: В секторе альтернативной энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы и буферные накопители энергии ESS) критически важен максимальный КПД преобразования для снижения тепловых потерь.
| Наименование |
Описание |
Аналог |
| PXIM10T600X |
IGBT Modules · 3 Level NPC1, 1050В, 600A, корпус Easy3B+ |
NXH600N105L7F5S1HG onsemi |
| PXCD12013K |
SiC MOSFET, 150A, 1200В, Low Rds(on) 13mΩ, корпус TO-247-4L |
|
| PXIM12W540X |
IGBT Modules · 3 Level NPC2, 1200В, 540A, Корпус Easy3B+ |
F3L500R12W3H7_H20 Infineon |
| PXIM12T450DL |
IGBT Modules · 3 Level NPC1, 1200В, 450A, Корпус EconoDUAL3 |
|
Транспортные средства на новых источниках энергии: для главных тяговых инверторов электромобилей (EV), гибридов, а также бортовых зарядных устройств (OBC) и высоковольтных компрессоров кондиционеров требуются компоненты с максимальной плотностью мощности и стойкостью к термоциклированию.
| Наименование |
Описание |
Аналог |
| PXCD12013K |
Высокоэффективный SiC MOSFET, 150A, 1200В, корпус TO-247-4L |
|
| PXID07075T |
Дискретный IGBT 650В, 75A, корпус TO-247-3L |
IKW75N65EH5 Infineon |
| PXCM12H200E |
Half Bridge SiC-модуль, 200A, 1200В, корпус 62mm |
|
| PXID07050T |
Дискретный IGBT 650V, 50A, корпус TO-247-3L |
IKW50N65EH5 Infineon |
Бытовая техника: В сегменте белой бытовой техники (инверторные стиральные машины, холодильники, кондиционеры и индукционные плиты) на первый план выходят стоимость решения, компактность печатной платы и низкий уровень акустического шума.
| Наименование |
Описание |
Аналог |
| PXID07050T |
Дискретный IGBT 650V, 50A, корпус TO-247-3L |
IKW50N65EH5 Infineon |
| PXFD07050U |
Бескорпусной FRD-диод, 650 В, 50 A |
|
| PXFD07060U |
Бескорпусной FRD-диод, 650 В, 60 A |
|
| PXID07075TB |
Дискретный IGBT 650В, 75A, корпус TO-247-3L |
IKW75N65EH5 Infineon |
