Высокоскоростная MRAM память 4 ... 16 Мбит с интерфейсом SPI от Renesas

Магниторезистивная (MRAM) память от Renesas Electronics обеспечивает более 10 16 циклов перезаписи и сохранность данных в течении 20 лет при температуре до 85°C. В микросхемах реализована программная и аппаратная защита данных.

Магниторезистивная (MRAM) память от Renesas Electronics обеспечивает более 10 16 циклов перезаписи и сохранность данных в течении 20 лет при температуре до 85°C. В микросхемах реализована программная и аппаратная защита данных.

Высокоскоростная MRAM память 4 ... 16 Мбит с интерфейсом SPI от Renesas

Основные характеристики

  • Ёмкость 4, 8 или 16 Мбит
  • Интерфейс QSPI 4-4-4 (частота 54 или 108 МГц)
  • Корпуса DFN-8 (5 х 6 мм) или SOIC-8 (5.2 х 5.2 мм)
  • Диапазон рабочих температур -40…+85°C или -40…+105°C

Потребление энергии памяти в разных режимах работы

  • Чтение – 8…19 мА
  • Запись – 14…38 мА
  • Standby – 160 мкА
  • Deep Power Down – 1.2 мкА
  • Hibernate – 0.1 мкА
  • Доступные варианты микросхем:

С питанием 1.8В: M1004204/M1008204/M1016204 (4/8/16 Мбит)

С питанием 3.3В: M3004204/M3008204/M3016204 (4/8/16 Мбит)

Информацию по доступности MRAM - памяти, а также по образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. . Мы будем рады Вам помочь!

Оставить заявку