Известный производитель дискретных полупроводниковых приборов, компания PANJIT, представила новый надежный и высокоэффективный MOSFET PSMQC076N12LS1 для работы в источниках питания. Транзистор выполнен по технологии SGT (Source-Gated Transistor) и предназначен для работы при средних (до 115В) уровнях напряжения.