Процессоры
Новый SGT MOSFET от компании PANJIT для применения в источниках питания
Известный производитель дискретных полупроводниковых приборов, компания PANJIT, представила новый надежный и высокоэффективный MOSFET PSMQC076N12LS1 для работы в источниках питания. Транзистор выполнен по технологии SGT (Source-Gated Transistor) и предназначен для работы при средних (до 115В) уровнях напряжения.
Основные характеристики:
- Сопротивление открытого канала не более 7,6 Ом (при токе стока 20А)
- Допустимый ток стока до 91А в статическом режиме и до 365А в импульсе.
- Высокое быстродействие: 34/116 нс (вкл/выкл).
- Низкие значения входной, выходной и проходной емкостей
- Низкое значение полного заряда затвора – 77 нК
- Превосходные динамические характеристики обратного диода – время восстановления 62,7 нс (при 100В и 10А).
Новый транзистор выпускается в корпусе DFN5060-8L (5х6 мм.)
Пример использования транзистора PSMQC076N12LS1 (MV MOSFET) в схеме импульсного блока питания с синхронным выпрямлением:
Доступны также аналогичные продукты с другими характеристиками:
- PSMQC120N06LS1 (60В, 39А, 12 мОм)
- PSMQC060N06LS1 (60В, 68А, 6 мОм)
Информацию по доступности, образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. . Мы будем рады Вам помочь!